复旦大学周鹏—刘春森团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是目前国际最短沟道闪存器件,突破了现今15纳米硅基闪存物理尺寸极限。相关研究成果12日发表于国际期刊《自然·电子学》。
(科技日报 潘宇菲 王春)
复旦大学周鹏—刘春森团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是目前国际最短沟道闪存器件,突破了现今15纳米硅基闪存物理尺寸极限。相关研究成果12日发表于国际期刊《自然·电子学》。
(科技日报 潘宇菲 王春)